ВЛИЯНИЕ МАЛОЙ ДОЗЫ ОБЛУЧЕНИЯ РАЗЛИЧНЫМИ ВИДАМИ ЧАСТИЦ НА ИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ УГЛЕГРАФИТОВЫХ РЕАКТОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Р. Г. Ханбеков, у Халиков

Аннотация


Исследовали пирографит, облученный электронами, α -частицами и γ -квантами, а также рекристаллизованный графит с содержанием 7—10% бора, облученный нейтронами и γ-квантами. Рентгеноструктурный анализ показал улучшение параметров структуры при малой дозе облучения. Увеличение микротвердости свидетельствует об отсутствии эф фекта кристаллизации при облучении. Метод аннигиляции позитронов выявил появление асимметрии в спектрах углового распределения фотонов аннигиляции. Рис. 4, список лит. 6 назв.

Полный текст:

PDF

Литература


Инденбом Б.Л. Радиационная ф изика и радиационное материаловедение. — Труды Межд. конф. по радиационному материаловедению. Алушта, 22—25 мая 1990 г. Харьков, 1991, с. 133—141.

Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979.

Юнусов М.С., Оксенгендлер Б.Л., Ахмадалиев А. и др. Эффект малых доз в полупроводниках: Препринт Р-9-581, ИЯФ АН УзССР, Ташкент, 1992. 15 с.

Ханбеков Р.Г., Дуйсенов Э.Х., Холбеков Ф.Э. Влияние малых доз облучения на структуру и свойства пирографита: Препринт Р - 1-594 ИЯФ АН РУз, 1993. 12 с.

Ханбеков Р.Г., Ли Ф., Тишин С.А. Электронно-позитронная аннигиляция в облученных углеграфитовых материалах. — В кн.: Тезисы докл. Всес. сем. «Позитронная аннигиляция в твердых телах». Обнинск, 10—12 сентября 1991, с. 14.

Балбекков А.С., Гилерсон В.Б. Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, содержащих ориентированные краевые дислокации. — Физика и техника полупроводников, 1985, т. 19, вып. 4, с. 651—655.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.