РАЗРАБОТКА ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ДЕТЕКТОРА БОЛЬШОГО РАЗМЕРА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР α-Si—p-i-n ДЛЯ РАДОНОМЕТРОВ

Аннотация

В работе описана технология изготовления высокочувствительного детектора диаметром 50 мм и толщиной чувствительной области 100—120 мкм на основе структур α-Si—p-i-n. Для создания p-n-перехода на p-кремний проводилась диффузия лития. После дрейфа лития на всю толщину диффузионный слой удаляется, благодаря чему толщина «мертвого» слоя выходного окна уменьшалась. Преимуществами разработанного детектора являются малое рабочее напряжение и относительно малые потери энергии во входном и выходном окнах ~6—12 кэВ и ~12—20 кэВ соответственно, что обеспечивает измерение объемной активности α-частиц в 2π-геометрии. Энергетическое разрешение детекторов α-частиц ²²⁶Ra энергией 7,65 МэВ составляло меньше 90 кэВ. Приводится измеренная концентрация радона почвенного воздуха. Показано изменение концентрации радона, температуры и влажности во времени. Измерения проводятся в режиме реального времени. Рис. 3, табл. 1, список лит. 5 назв.