ДЕГРАДАЦИЯ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Si(Li)-ДЕТЕКТОРОВ РАБОЧЕЙ ПЛОЩАДЬЮ 20—60 см2

Р. А. Муминов, С. Р. Раджабов, Д. К. Хасанов

Аннотация


-

Полный текст:

PDF

Литература


Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984.

Афанасьева В.Д., Афанасьева Н.П., Любчик Б.Г. Влияние неоднородности распределения акцепторов на компенсацию в литий-дрейфовых p—1—n переходах. — ФТП, 1974, т. 8, с. 1090—1095.

Любчик Б.Г. К теории компенсации полупроводников методом дрейфа ионов лития в присутствии резких локальных неоднородностей распределения акцепторов. — Там же, 1975, т. 9, с. 1039—1040.

Байзаков Б.Б., Раджабов С. А. Оптимизация процесса «выравнивающего» дрейфа Si (Li)-детекторов. Тез. докл. XXXVIII совещ. по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Л.: Наука, 1988, с. 580.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.